在机用缠绕膜成核后，它的生长过程可大致归结为以下几个阶段：

　　岛状阶段：当用电子显微镜观察热蒸汽分子碰撞基板的过程时，先观察到的是大小均匀的膜突然出现在视场，此时能够观察到的核的尺寸约为2~3nm,这些核的生长是三维的，但生长方向与基板平行的核的生长速度比生长方向与基板垂直的方向快，这是由于核的生长主要是由于单原子分子的扩散而不是由气相碰撞所决定的，这些核不断俘获生长，逐渐由圆球形核变为六面体孤立的岛。

　　聚结阶段：随着岛的增加，岛之间的距离逐渐减小，而后与相邻岛相遇结合。岛的形状成六面体，因为六面体的自由能小。岛聚结后，在基板上所占的面积减小，表面能减低。聚结后基板上空出的地方再次聚结成核。由于聚结过程中伴随着结晶和晶粒生长，它对机用缠绕膜的膜层结构及性质无疑具有重要的影响。例如：岛聚结时，具有特定的方向，导致了膜具有特定的晶体结构。

　　沟渠阶段：当岛的形状达到临界状态时相互连接，逐渐形成网状结构，随着沉积的继续，而后剩下的无规则的宽度约有5~20nm的沟渠，沟渠再次成核，聚结或沟渠边缘结合使沟渠消失，只留下若干孔洞。

　　连续阶段：沟渠及孔洞消失后，接着沉积的蒸汽分子继续堆积在这些连续机用缠绕膜上，致使厚度速度增加，而后形成各不同的结构。

　　以上所说，即为机用缠绕膜生长的四个过程，相信大家已经对其有了基本的了解，当然，纸上学来终觉浅，觉知此事须躬行，这只是对缠绕膜形成的理论介绍，反之，对理论的详细理解对实践工作也具有相当高的价值。